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NP109N04PUJ	文件：318.16 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP109N04PUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on) = 2.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A) • Low input capacitance Ciss = 6900 pF TYP. • Designed for automotive applicati 文件：318.16 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP109N04PUJ	文件：345.46 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 110A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.3mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：345.46 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NP109N04PUJ	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP109N04PUJ-E1B-AY	文件：318.16 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP109N04PUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on) = 2.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A) • Low input capacitance Ciss = 6900 pF TYP. • Designed for automotive applicati 文件：318.16 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP109N04PUJ-E2B-AY	文件：318.16 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP109N04PUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on) = 2.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A) • Low input capacitance Ciss = 6900 pF TYP. • Designed for automotive applicati 文件：318.16 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP109N04PUJ_15	文件：318.16 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：318.16 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP109N04PUJ-E1B-AYNote	文件：318.16 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：318.16 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP109N04PUJ-E2B-AYNote	文件：318.16 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：318.16 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP109N04PUJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas
NP109N04PUJ-E2B-AY	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：TRANSISTOR	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

技术参数

Ciss (pF) typ.：
6900
Downloadable：
SPICE
Vgs (off) (V) max.：
4
Package Type：
MP-25ZP/TO-263
VGSS (V)：
20
Nch/Pch：
Nch
Pch (W)：
220
Number of Channels：
Single
Application：
Automotive Use
Automotive：
YES
Mounting Type：
Surface Mount
VDSS (V) max.：
40
Series Name：
NP Series
ID (A)：
110
QG (nC) typ.：
115
RDS (ON) (mohm) max. @10V or 8V：
2.3

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