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NP109N04PUJ-E1B-AY中文资料PDF规格书

NP109N04PUJ-E1B-AY
厂商型号

NP109N04PUJ-E1B-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

318.16 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-17 9:40:00

NP109N04PUJ-E1B-AY规格书详情

DESCRIPTION

The NP109N04PUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

• Super low on-state resistance

RDS(on) = 2.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A)

• Low input capacitance

Ciss = 6900 pF TYP.

• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

产品属性

  • 型号:

    NP109N04PUJ-E1B-AY

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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