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NP100P06PDG-E2-AY中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NP100P06PDG-E2-AY
厂商型号

NP100P06PDG-E2-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

191.09 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-28 20:00:00

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NP100P06PDG-E2-AY规格书详情

DESCRIPTION

The NP100P06PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

• Super low on-state resistance

RDS(on)1 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −50 A)

RDS(on)2 = 7.8 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −50 A)

• High current rating: ID(DC) = ±100 A

产品属性

  • 型号:

    NP100P06PDG-E2-AY

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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