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NP100P06PDG-E2-AY	文件：191.09 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION The NP100P06PDG is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on)1 = 6.0 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −50 A) RDS(on)2 = 7.8 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −50 A) • High current rating: ID( 文件：191.09 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP100P06PDG-E2-AYNote	文件：300.42 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET 文件：300.42 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP1216DR	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN2*2-6	南麟上传：深圳市勇康微科技有限公司	南麟
NP2300MR-Y-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23-3	NATLINEAR/南麟上传：深圳广友电子有限公司	NATLINEAR/南麟
NP2301AMR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23-3	南麟上传：深圳市勇康微科技有限公司	南麟

详细参数

型号：
NP100P06PDG-E2-AY
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NP100P06PDG-E2-AY供应商更新时间2026-1-24 17:55:00

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