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NP109N04PUG-E2-AY	文件：235.02 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The NP109N04PUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on) = 2.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A) • High current rating ID(DC) = ±110 A 文件：235.02 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP109N04PUG-E2-AYNote	文件：291.81 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：291.81 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP1216DR	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN2*2-6	南麟上传：深圳市勇康微科技有限公司	南麟
NP2300MR-Y-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23-3	NATLINEAR/南麟上传：深圳广友电子有限公司	NATLINEAR/南麟
NP2301AMR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23-3	南麟上传：深圳市勇康微科技有限公司	南麟

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深圳市威尔健半导体有限公司	NP109N04PUGMOS(场效应管)	NEC	23+	TO-263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市博中泰实业有限公司	NP109N04PUGMOS(场效应管)	NEC	24+	TO-263	60000	全新原装现货	询价
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深圳市鹏顺微电子科技有限公司	NP109N04PUJ-E2B-AY	Renesas Electronics America	2022+	-	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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深圳市金芯世纪电子有限公司	NP109N04PUK	RENESAS/瑞萨	22+	TO-263	100000	代理渠道/只做原装/可含税	询价

更多NP109N04PUG-E2-AY供应商更新时间2026-2-2 10:59:00