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NP109N04PUG	文件：235.02 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The NP109N04PUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on) = 2.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A) • High current rating ID(DC) = ±110 A 文件：235.02 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP109N04PUG	文件：345.32 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 110A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.3mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：345.32 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NP109N04PUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP109N04PUG-E1-AY	文件：235.02 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The NP109N04PUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on) = 2.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A) • High current rating ID(DC) = ±110 A 文件：235.02 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP109N04PUG-E2-AY	文件：235.02 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET DESCRIPTION The NP109N04PUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on) = 2.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A) • High current rating ID(DC) = ±110 A 文件：235.02 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
NP109N04PUG_15	文件：291.81 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：291.81 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP109N04PUG-E1-AYNote	文件：291.81 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：291.81 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP109N04PUG-E2-AYNote	文件：291.81 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：291.81 Kbytes 页数：10 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP109N04PUG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

可下载：
SPICE
封装类型：
MP-25ZP/TO-263
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
汽车业：
YES
VDSS (V) 最大值：
40
ID (A)：
110
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
2.3
Ciss (pF) 典型值：
10500
Vgs (off) (V) 最大值：
4
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
220
应用：
Automotive Use
安装类型：
Surface Mount
系列名称：
NP Series
QG (nC) 典型值：
180

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	NP109N04PUG	NEC	24+	TO-252	8866		询价
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