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NP109N04PUG-E1-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION The NP109N04PUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on) = 2.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A) • High current rating ID(DC) = ±110 A

文件:235.02 Kbytes 页数:8 Pages

NEC

瑞萨

NP109N04PUG-E1-AYNote

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件:291.81 Kbytes 页数:10 Pages

RENESAS

瑞萨

NP1216DR

DFN2*2-6

南麟

NP2300MR-Y-G

SOT23-3

NATLINEAR/南麟

上传:深圳广友电子有限公司

NATLINEAR/南麟

NP2301AMR

SOT-23-3

南麟

详细参数

  • 型号:

    NP109N04PUG-E1-AY

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述:

    TRANS MOSFET N-CH 40V 110A 3PIN TO-263 - Tape and Reel

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

  • 功能描述:

    NP109N04PUG N-Channel 40 V 2.3 mOhm 220 W 180 nC Switching MosFet - TO-263

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RENESAS/瑞萨
23+
TO-263
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Renesas Electronics America
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TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片
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TO-263
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R
TO263
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RENESAS/瑞萨
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RENESAS/瑞萨
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更多NP109N04PUG-E1-AY供应商 更新时间2026-2-10 11:10:00