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NP109N04PUJ-E2B-AYNote

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

文件:318.16 Kbytes 页数:10 Pages

RENESAS

瑞萨

NP109N04PUJ-E2B-AY

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The NP109N04PUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. FEATURES • Super low on-state resistance RDS(on) = 2.3 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 55 A) • Low input capacitance Ciss = 6900 pF TYP. • Designed for automotive applicati

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RENESAS

瑞萨

NP1216DR

DFN2*2-6

南麟

NP2300MR-Y-G

SOT23-3

NATLINEAR/南麟

上传:深圳广友电子有限公司

NATLINEAR/南麟

NP2301AMR

SOT-23-3

南麟

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更多NP109N04PUJ-E2B-AYNOTE供应商 更新时间2025-11-29 11:43:00