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NP110N03PUG	文件：344.51 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 110A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：344.51 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NP110N03PUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	Product Scout Automotive 文件：5.67799 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP110N03PUG_15	文件：265.77 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET 文件：265.77 Kbytes 页数：9 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NP110N03PUG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-Power MOSFETs for Automotive	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

可下载：
SPICE
封装类型：
MP-25ZP/TO-263
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
汽车业：
YES
VDSS (V) 最大值：
30
ID (A)：
110
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
1.5
Ciss (pF) 典型值：
16400
Vgs (off) (V) 最大值：
4
VGSS (V)：
20
Pch (W)：
288
应用：
Automotive Use
安装类型：
Surface Mount
系列名称：
NP Series
QG (nC) 典型值：
253

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