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零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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NP110N03PUG | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | |
NP110N03PUG | Product Scout Automotive | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
4VDriveNchMOSFET | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
4VDriveNchMOSFET | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
Switching(30V,11A,-11A) | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
N-Channel30-V(D-S)175CMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
N-CHANNELENHANCEMENTMODE | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | UTC | ||
N-CHANNELENHANCEMENTMODE | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | UTC |
详细参数
- 型号:
NP110N03PUG
- 功能描述:
MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
-
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
23+ |
TO-263 |
11843 |
全新原装 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
TO-263 |
8866 |
询价 | |||
NEC |
6000 |
面议 |
19 |
TO-263 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-252 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
NEC |
21+ |
SOT-263 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
TO-263 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
TO-263 |
6000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-263 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
NA/ |
4565 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 |
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