首页 >NP110N03PUG>规格书列表

零件编号下载 订购功能描述/丝印制造商 上传企业LOGO

NP110N03PUG

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

NP110N03PUG

Product Scout Automotive

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

NP110N03PUG_15

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RRS110N03

4VDriveNchMOSFET

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

RSH110N03

4VDriveNchMOSFET

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

RSS110N03

Switching(30V,11A,-11A)

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

SUM110N03

N-Channel30-V(D-S)175CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

UT110N03

N-CHANNELENHANCEMENTMODE

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UT110N03

N-CHANNELENHANCEMENTMODE

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    NP110N03PUG

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NEC
23+
TO-263
11843
全新原装
询价
NEC
24+
TO-263
8866
询价
NEC
6000
面议
19
TO-263
询价
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-252
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
询价
NEC
21+
SOT-263
10000
原装现货假一罚十
询价
RENESAS/瑞萨
2022+
TO-263
50000
原厂代理 终端免费提供样品
询价
NEC
23+
TO-263
6000
原装正品,支持实单
询价
RENESAS/瑞萨
22+
TO-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
RENESAS/瑞萨
23+
TO-263
89630
当天发货全新原装现货
询价
NEC
24+
NA/
4565
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
更多NP110N03PUG供应商 更新时间2025-7-24 9:13:00