NP100P06PDG-E1-AY说明书PDF资料行情报价-114ic电子网

首页 >NP100P06PDG-E1-AY>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业
NP100P06PDG-E1-AY	文件：191.09 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheNP100P06PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.0mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=7.8mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID(	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
NP100P06PDG-E1-AY	文件：1.35852 Mbytes Page：8 Pages	-60V – -100A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=6.0mMax.(VGS=-10V,ID=-50A) RDS(on)=7.8mMax.(VGS=-4.5V,ID=-50A) Lowinputcapacitance:Ciss=	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
NP100P06PDG-E1-AYNote	文件：300.42 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

零件编号

下载&订购

功能描述

制造商&上传企业

LOGO

NP100P06PDG-E1-AY

文件：191.09 Kbytes

Page：7 Pages

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP100P06PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.0mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=7.8mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID(

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NP100P06PDG-E1-AY

文件：1.35852 Mbytes

Page：8 Pages

-60V – -100A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive

Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=6.0mMax.(VGS=-10V,ID=-50A) RDS(on)=7.8mMax.(VGS=-4.5V,ID=-50A) Lowinputcapacitance:Ciss=

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NP100P06PDG-E1-AYNote

文件：300.42 Kbytes

Page：9 Pages

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

详细参数

型号：
NP100P06PDG-E1-AY
功能描述：
MOSFET P-CH -60V MP-25ZP/TO-263
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市卓越微芯电子有限公司	NP100P06PDG-E1-AY	NEC	2020+	TO263	9880	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	NP100P06PDG-E1-AY	Renesas(瑞萨)	23+	标准封装	8048	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	NP100P06PDG-E1-AY	Renesas	23+	MP-25ZPTO-263	35400	全新原装真实库存含13点增值税票!	询价
深圳市正纳电子有限公司	NP100P06PDG-E1-AY	Renesas(瑞萨)	23+	原厂封装	32078	10年以上分销商,原装进口件,服务型企业	询价
深圳市毅创辉电子科技有限公司	NP100P06PDG-E1-AY	RENESAS(瑞萨)/IDT	23+	TO-263	8000	全新、原装	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	NP100P06PDG-E1-AY	NEC	2017+	TO263	35689	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
深圳市锦喆鸿电子有限公司	NP100P06PDG-E1-AY	NEC	21+	TO263	12588	原装正品,自己库存假一罚十	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	NP100P06PDG-E1-AY		23+	N/A	90550	正品授权货源可靠	询价
深圳市仟禧电子有限公司	NP100P06PDG-E1-AY	NEC	22+	SOT-263	20000	保证原装正品,假一陪十	询价
深圳市凌旭科技有限公司	NP100P06PDG-E1-AY	RENESAS	21+	TO-263	2260	只做原装,绝对现货,原厂代理商渠道,欢迎电话微信查	询价

更多NP100P06PDG-E1-AY供应商更新时间2024-4-28 17:33:00

详细参数

相关规格书

相关库存