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NP100P06PDG-E1-AYNote	文件：300.42 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100P06PDG-E1-AY	文件：1.35852 Mbytes Page：8 Pages	-60V–-100A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=6.0mMax.(VGS=-10V,ID=-50A) RDS(on)=7.8mMax.(VGS=-4.5V,ID=-50A) Lowinputcapacitance:Ciss=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100P06PDG-E1-AY	文件：191.09 Kbytes Page：7 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP100P06PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.0mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=7.8mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID(	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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-60V–-100A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive

Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=6.0mMax.(VGS=-10V,ID=-50A) RDS(on)=7.8mMax.(VGS=-4.5V,ID=-50A) Lowinputcapacitance:Ciss=

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP100P06PDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=6.0mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=7.8mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID(

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