NP100P04PLG-E2-AYNOTE说明书PDF资料批发采购-114ic电子网

首页 >NP100P04PLG-E2-AYNOTE>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
NP100P04PLG-E2-AYNote	文件：300.45 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP100P04PLG-E2-AY	文件：191.11 Kbytes Page：7 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP100P04PLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=3.7mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=5.1mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID(D	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

零件编号

下载订购

功能描述/丝印

制造商上传企业

LOGO

NP100P04PLG-E2-AYNote

文件：300.45 Kbytes

Page：9 Pages

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

NP100P04PLG-E2-AY

文件：191.11 Kbytes

Page：7 Pages

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheNP100P04PLGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=3.7mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−50A) RDS(on)2=5.1mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−50A) •Highcurrentrating:ID(D

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	NP100P06		24+		8866		询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	NP100P06	NEC	2450+	TP-263	6540	只做原厂原装正品终端客户免费申请样品	询价
深圳市荣泽信电子科技有限公司	NP100P06PDG	NEC	23+	TO-252	1000	全新原装的现货	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	NP100P06PDG	RENESAS	2020+	TO-263	106	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市近平电子有限公司	NP100P06PDG	NEC	6000	面议	19	TO-252	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	NP100P06PDG	SUPERTEX	23+	TO-220	69820	终端可以免费供样,支持BOM配单!	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	NP100P06PDG	NEC	TO-263	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市胜彬电子有限公司	NP100P06PDG	NEC	22+	TO252	3000	原装正品,支持实单	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	NP100P06PDG	NEC	23+	TO-263	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市亿联芯电子科技有限公司	NP100P06PDG	NEC	2023+	TO263	8635	一级代理优势现货,全新正品直营店	询价

更多NP100P04PLG-E2-AYNOTE供应商更新时间2025-7-26 13:31:00

相关规格书

相关库存