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NESG260234-A	文件：137.58 Kbytes Page：2 Pages	RF & Microwave device	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NESG260234-AZ	文件：326.88 Kbytes Page：14 Pages	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR FEATURES •Thisproductissuitableformediumoutputpower(1W)amplification Pout=30dBmTYP.@VCE=6V,Pin=15dBm,f=460MHz Pout=30dBmTYP.@VCE=6V,Pin=20dBm,f=900MHz •MSG(MaximumStableGain)=23dBTYP.@VCE=6V,Ic=100mA,f=460MHz •UsingUHS2-HVpr	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NESG260234	文件：362.92 Kbytes Page：11 Pages	NPNSILICONGERMANIUMRFTRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
NESG260234	文件：252.15 Kbytes Page：4 Pages	3-PINPOWERMINIMOLD	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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