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NE650103M

N-CHANNEL GaAs MES FET

10 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET DESCRIPTION The NE650103M is a 10 W GaAs MES FET designed for power transmitter applications for mobile communication base station systems. It is capable of delivering 10 W of output power (CW) with high linear gain, high efficiency and low distortion. Reli

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RENESAS

瑞萨

NE650103M

10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET

文件:259.51 Kbytes 页数:7 Pages

CEL

NE650103M-A

N-CHANNEL GaAs MES FET

10 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET DESCRIPTION The NE650103M is a 10 W GaAs MES FET designed for power transmitter applications for mobile communication base station systems. It is capable of delivering 10 W of output power (CW) with high linear gain, high efficiency and low distortion. Reli

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RENESAS

瑞萨

NE650103M-A

10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET

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CEL

NE650103M

NECS 10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET

CEL

NE650103M-A

Package:SOT-445 变式;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:FET RF 15V 2.3GHZ 3M

CEL

CEL

详细参数

  • 型号:

    NE650103M

  • 功能描述:

    射频GaAs晶体管 RO 551-NE650103M-A

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型:

    pHEMT

  • 频率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪声系数:

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压:

    - 8 V

  • 漏极连续电流:

    3 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

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更多NE650103M供应商 更新时间2025-10-12 15:36:00