NE650103M数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
NE650103M规格书详情
简介
NE650103M属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的NE650103M晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
NE650103M-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
MESFET
- 频率：
2.3GHz
- 增益：
11dB
- 额定电流（安培）：
5A
- 功率 - 输出：
40dBm
- 封装/外壳：
SOT-445 变式
- 供应商器件封装：
3M
- 描述：
FET RF 15V 2.3GHZ 3M
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
23+ |
DIP |
12300 |
询价 | |||
CEL |
22+ |
3M |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
CEL |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
3M |
5825 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
询价 | ||
PHI |
23+ |
DIP |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
24+ |
3000 |
公司存货 |
询价 | ||||
NEC |
21+ |
3M |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
NEC |
2022 |
SO86 |
2300 |
原装现货,诚信经营! |
询价 | ||
NEC |
2023+ |
90 |
询价 | ||||
原装 |
1923+ |
原厂封装 |
8600 |
莱克讯原厂货源每一片都来自原厂原装现货薄利多 |
询价 |
