NE650103M分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE650103M |
| 参数属性 | NE650103M 封装/外壳为SOT-445 变式；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 15V 2.3GHZ 3M |
| 功能描述 | 10 W L & S-BAND POWER GaAs MESFET |
| 封装外壳 | SOT-445 变式 |
| 文件大小 |
259.51 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Labs |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Labs官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-22 11:33:00 |
| 人工找货 | NE650103M价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE650103M规格书详情
NE650103M属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE650103M晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
NE650103M-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
MESFET
- 频率：
2.3GHz
- 增益：
11dB
- 额定电流（安培）：
5A
- 功率 - 输出：
40dBm
- 封装/外壳：
SOT-445 变式
- 供应商器件封装：
3M
- 描述：
FET RF 15V 2.3GHZ 3M
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
23+ |
DIP |
12300 |
询价 | |||
PHI |
23+ |
DIP 16 |
26520 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
原装 |
1923+ |
原厂封装 |
8600 |
莱克讯原厂货源每一片都来自原厂原装现货薄利多 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
3M |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
CEL |
22+ |
3M |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
24+ |
3000 |
公司存货 |
询价 | ||||
NEC |
21+ |
3M |
20000 |
全新原装 公司现货 价优 |
询价 | ||
NEC |
04+PB |
3M |
776 |
询价 | |||
PHI |
23+ |
DIP |
9980 |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
询价 |
