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NE6500379A-T1
厂商型号

NE6500379A-T1

功能描述

3W, L/S-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET

文件大小

162.42 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 California Eastern Labs
企业简称

CEL

中文名称

California Eastern Labs官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 9:13:00

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NE6500379A-T1规格书详情

DESCRIPTION

NECs NE6500379A is a 3 W GaAs MESFET designed for medium power Fixed Wireless Access, ISM, WLL, PCS, IMT-2000, and return path MMDS transmitter applications. It is capable of delivering 3 Watts of output power with high linear gain, high efficiency and excellent linearity. Reliability and performance uniformity are assured by NECs stringent quality and control procedures

FEATURES

• LOW COST PLASTIC SURFACE MOUNT PACKAGE Available on Tape and Reel

• USABLE TO 2.7 GHz: Fixed Wireless Access, ISM, WLL, MMDS, IMT-2000, PCS

• HIGH OUTPUT POWER: 35 dBm TYP

• HIGH LINEAR GAIN: 10 dB TYP at 1.9 GHz

• LOW THERMAL RESISTANCE: 5 C/W

产品属性

  • 型号:

    NE6500379A-T1

  • 功能描述:

    射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型:

    pHEMT

  • 频率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪声系数:

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压:

    - 8 V

  • 漏极连续电流:

    3 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

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