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NE6500379A规格书详情
DESCRIPTION
NECs NE6500379A is a 3 W GaAs MESFET designed for medium power Fixed Wireless Access, ISM, WLL, PCS, IMT-2000, and return path MMDS transmitter applications. It is capable of delivering 3 Watts of output power with high linear gain, high efficiency and excellent linearity. Reliability and performance uniformity are assured by NECs stringent quality and control procedures
FEATURES
• LOW COST PLASTIC SURFACE MOUNT PACKAGE Available on Tape and Reel
• USABLE TO 2.7 GHz: Fixed Wireless Access, ISM, WLL, MMDS, IMT-2000, PCS
• HIGH OUTPUT POWER: 35 dBm TYP
• HIGH LINEAR GAIN: 10 dB TYP at 1.9 GHz
• LOW THERMAL RESISTANCE: 5 C/W
产品属性
- 型号：
NE6500379A
- 功能描述：
射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs MESFET
- RoHS：
否
- 制造商：
TriQuint Semiconductor
- 技术类型：
pHEMT
- 频率：
500 MHz to 3 GHz
- 增益：
10 dB
- 噪声系数：
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压：
- 8 V
- 漏极连续电流：
3 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 功率耗散：
10 W
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
原装 |
1923+ |
原厂封装 |
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NEC |
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十字架 |
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NEC |
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十字架 |
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NEC |
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十字架 |
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NEC |
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NEC |
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NEC |
23+ |
十字架 |
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NEC |
23+ |
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NEC |
23+ |
3M |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
