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NE650103M-A分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE650103M-A |
| 参数属性 | NE650103M-A 封装/外壳为SOT-445 变式；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 15V 2.3GHZ 3M |
| 功能描述 | N-CHANNEL GaAs MES FET |
| 封装外壳 | SOT-445 变式 |
| 文件大小 |
230.89 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-31 23:00:00 |
| 人工找货 | NE650103M-A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE650103M-A规格书详情
10 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET
DESCRIPTION
The NE650103M is a 10 W GaAs MES FET designed for power transmitter applications for mobile communication
base station systems. It is capable of delivering 10 W of output power (CW) with high linear gain, high efficiency and
low distortion.
Reliability and performance uniformity are assured by our stringent quality and control procedures.
FEATURES
• High output power: PO (1 dB) = 40.0 dBm TYP.
• High linear gain: GL = 11.0 dB TYP.
• High power added efficiency: ηadd = 45 TYP. @ VDS = 10.0 V, IDset = 1.5 A (RF OFF), f = 2.3 GHz
产品属性
- 产品编号：
NE650103M-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
MESFET
- 频率：
2.3GHz
- 增益：
11dB
- 额定电流（安培）：
5A
- 功率 - 输出：
40dBm
- 封装/外壳：
SOT-445 变式
- 供应商器件封装：
3M
- 描述：
FET RF 15V 2.3GHZ 3M
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
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04+PB |
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