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NE6510179A	文件：285.94 Kbytes Page：10 Pages	NECs 3W, L&S-BAND MEDIUM POWER GaAs HJ-FET DESCRIPTION NECs NE6510179A is a GaAs HJ-FET designed for medium power mobile communications, Fixed Wireless Access, ISM, WLL, PCS, IMT-2000, and MMDS transmitter and subscriber applications. It is capable of delivering 1.8 watts of output power(C/W) at 3.5 V and 3 Watts of ouptut power (CW) at 5 文件：285.94 Kbytes 页数：10 Pages	CEL	CEL
NE6510179A	文件：207.76 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL GaAs HJ-FET 1 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET DESCRIPTION The NE6510179A is a 1 W GaAs HJ-FET designed for middle power transmitter applications for mobile communication and wireless PC LAN systems. It is capable of delivering 1 W of output power (CW) with high linear gain, high efficiency and excellent dist 文件：207.76 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE6510179A-A	文件：285.94 Kbytes Page：10 Pages	NECs 3W, L&S-BAND MEDIUM POWER GaAs HJ-FET DESCRIPTION NECs NE6510179A is a GaAs HJ-FET designed for medium power mobile communications, Fixed Wireless Access, ISM, WLL, PCS, IMT-2000, and MMDS transmitter and subscriber applications. It is capable of delivering 1.8 watts of output power(C/W) at 3.5 V and 3 Watts of ouptut power (CW) at 5 文件：285.94 Kbytes 页数：10 Pages	CEL	CEL
NE6510179A-T1	文件：285.94 Kbytes Page：10 Pages	NECs 3W, L&S-BAND MEDIUM POWER GaAs HJ-FET DESCRIPTION NECs NE6510179A is a GaAs HJ-FET designed for medium power mobile communications, Fixed Wireless Access, ISM, WLL, PCS, IMT-2000, and MMDS transmitter and subscriber applications. It is capable of delivering 1.8 watts of output power(C/W) at 3.5 V and 3 Watts of ouptut power (CW) at 5 文件：285.94 Kbytes 页数：10 Pages	CEL	CEL
NE6510179A-T1	文件：207.76 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL GaAs HJ-FET 1 W L-BAND POWER GaAs HJ-FET DESCRIPTION The NE6510179A is a 1 W GaAs HJ-FET designed for middle power transmitter applications for mobile communication and wireless PC LAN systems. It is capable of delivering 1 W of output power (CW) with high linear gain, high efficiency and excellent dist 文件：207.76 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE6510179A-T1-A	文件：285.94 Kbytes Page：10 Pages	NECs 3W, L&S-BAND MEDIUM POWER GaAs HJ-FET DESCRIPTION NECs NE6510179A is a GaAs HJ-FET designed for medium power mobile communications, Fixed Wireless Access, ISM, WLL, PCS, IMT-2000, and MMDS transmitter and subscriber applications. It is capable of delivering 1.8 watts of output power(C/W) at 3.5 V and 3 Watts of ouptut power (CW) at 5 文件：285.94 Kbytes 页数：10 Pages	CEL	CEL
NE6510179A-EVPW19	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：盒类别：开发板，套件，编程器射频评估和开发套件，开发板描述：EVAL BOARD NE6510179A 1.9GHZ	CEL	CEL
NE6510179A-EVPW24	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：盒类别：开发板，套件，编程器射频评估和开发套件，开发板描述：EVAL BOARD NE6510179A 2.4GHZ	CEL	CEL
NE6510179A-EVPW26	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：开发板，套件，编程器射频评估和开发套件，开发板描述：EVAL BOARD NE6510179A 2.6GHZ	CEL	CEL

详细参数

型号：
NE6510179A
功能描述：
射频GaAs晶体管 L&S Band GaAs HJFET
RoHS：
否
制造商：
TriQuint Semiconductor
技术类型：
pHEMT
频率：
500 MHz to 3 GHz
增益：
10 dB
噪声系数：
正向跨导
gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
闸/源击穿电压：
- 8 V
漏极连续电流：
3 A
最大工作温度：
+ 150 C
功率耗散：
10 W

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深圳市一线半导体有限公司	NE6510179A	NEC	24+	SMD	10200	新进库存/原装	询价
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