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更多NE6510179A-EVPW19功能描述:射频GaAs晶体管 For NE6510179A-A Power at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
产品属性
- 产品编号:
NE6510179A-EVPW19
- 制造商:
CEL
- 类别:
开发板,套件,编程器 > 射频评估和开发套件,开发板
- 包装:
盒
- 类型:
FET
- 频率:
1.9GHz
- 配套使用/相关产品:
NE6510179A@1.9GHz
- 所含物品:
板
- 描述:
EVAL BOARD NE6510179A 1.9GHZ