NE650103M分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE650103M |
| 参数属性 | NE650103M 封装/外壳为SOT-445 变式；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 15V 2.3GHZ 3M |
| 功能描述 | N-CHANNEL GaAs MES FET |
| 封装外壳 | SOT-445 变式 |
| 文件大小 |
230.89 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 10:11:00 |
| 人工找货 | NE650103M价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE650103M规格书详情
10 W L, S-BAND POWER GaAs MES FET
DESCRIPTION
The NE650103M is a 10 W GaAs MES FET designed for power transmitter applications for mobile communication
base station systems. It is capable of delivering 10 W of output power (CW) with high linear gain, high efficiency and
low distortion.
Reliability and performance uniformity are assured by our stringent quality and control procedures.
FEATURES
• High output power: PO (1 dB) = 40.0 dBm TYP.
• High linear gain: GL = 11.0 dB TYP.
• High power added efficiency: ηadd = 45 TYP. @ VDS = 10.0 V, IDset = 1.5 A (RF OFF), f = 2.3 GHz
产品属性
- 产品编号：
NE650103M-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
MESFET
- 频率：
2.3GHz
- 增益：
11dB
- 额定电流（安培）：
5A
- 功率 - 输出：
40dBm
- 封装/外壳：
SOT-445 变式
- 供应商器件封装：
3M
- 描述：
FET RF 15V 2.3GHZ 3M
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
21+ |
3M |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
NEC |
2022 |
SO86 |
2300 |
原装现货,诚信经营! |
询价 | ||
NEC |
2138+ |
8960 |
专营BGA,QFP原装现货,假一赔十 |
询价 | |||
NEC |
2023+ |
90 |
询价 | ||||
原装 |
1923+ |
原厂封装 |
8600 |
莱克讯原厂货源每一片都来自原厂原装现货薄利多 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
DIP |
12300 |
询价 | |||
NEC |
23+ |
3M |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NEC |
95+ |
6000 |
绝对原装自己现货 |
询价 | |||
HEF |
24+ |
DIP |
37500 |
全新原装现货,量大价优! |
询价 | ||
CEL |
22+ |
3M |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 |
