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NDS8839H	文件：350.58 Kbytes Page：12 Pages	Complementary MOSFET Half Bridge General Description These Complementary MOSFET half bridge devices are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energ 文件：350.58 Kbytes 页数：12 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS8839H	文件：300 bytes Page：1 Pages	Complementary MOSFET Half Bridge	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
PJX8839	文件：335.36 Kbytes Page：6 Pages	60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features  RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-500mA 文件：335.36 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT
PJX8839	文件：286.43 Kbytes Page：6 Pages	60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：286.43 Kbytes 页数：6 Pages	PANJIT 強茂	PANJIT

详细参数

型号：
NDS8839H
功能描述：
MOSFET DISC BY MFG 2/02
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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