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详细参数
- 型号：
NDS9959_Q
- 功能描述：
MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
25+ |
DIP-40 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
FAIRCHAL |
6000 |
面议 |
19 |
SOP8 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1709+ |
SOP8 |
45000 |
普通 |
询价 | ||
FAIRCILD |
22+ |
SO-8 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
2025+ |
SOP8 |
4675 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
2023+ |
SO8 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
08+ |
SOP8 |
3300 |
全新原装现货100真实自己公司 |
询价 | ||
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
SO-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VB |
21+ |
SO-8 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
VBSEMI/台湾微碧 |
24+ |
SO-8 |
60000 |
询价 |
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更新时间2025-10-4 16:18:00
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- XC6124A246MG-G
- XC6124A250MG-G
- XC6124A333ER-G
- XC6124A334MR-G
- RGP10G
- RGP10G/23
- RGP10G/4
- RGP10G/73
- RGP10GE/23
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