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NDS9435A	文件：269.76 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NDS9435A；30V P-Channel PowerTrench® MOSFET General Description This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V – 25V). Applications • Power management • Load swit 文件：269.76 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDS9435A	文件：219.85 Kbytes Page：10 Pages	Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V – 25V). Features • –5.3 A, –30 V RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS 文件：219.85 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
NDS9435A	文件：167.36 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel PowerTrench MOSFET 文件：167.36 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
NDS9435A_02	文件：167.36 Kbytes Page：5 Pages	30V P-Channel PowerTrench MOSFET 文件：167.36 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
NDS9435A-NL	文件：957.84 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：957.84 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NDS9435-NL	文件：959.26 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：959.26 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NDS9435A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
NDS9435
功能描述：
MOSFET -30V -5.3A P-CH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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