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NDT3055	文件：226.26 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperformance.Thes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDT3055	文件：1.01029 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDT3055L	文件：228.1 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheselogiclevelN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperfo	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDT3055L	文件：1.92605 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERALFEATURES 60V,4A,Rps(on)=85mQ@Vgs=10V. Rpsion)=100mQ@Vgs=4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRps(on)- Ruggedandreliable. Leadfreeproductisacquired. SOT-223package.	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
NDT3055L	文件：1.01032 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NDT3055L	文件：378.84 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
3055	文件：111.08 Kbytes Page：8 Pages	MULTIPLEXEDTWO-WIREHALL-EFFECTSENSORICs MULTIPLEXEDTWO-WIREHALL-EFFECTSENSORICs TheUGN3055UHall-effectsensorisadigitalmagneticsensingICcapableofcommunicatingoveratwo-wirepower/signalbus.Usingasequentialaddressingscheme,thedevicerespondstoasignalonthebusandreturnsthediagnosticstatusoftheIC,as	Allegro Allegro MicroSystems	Allegro
3055	文件：70.18 Kbytes Page：3 Pages	CustomerSpecification	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
3055	文件：92.1 Kbytes Page：2 Pages	WASHERSANDNUTS [KEYSTONE] FIBRESHOULDERWASHERS HEXMACHINENUTS NYLONSHOULDERWASHER/BUSHINGS BLINDCAPTIVENUTS-PRESSFIT METRICMACHINENUTS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
3055	文件：959.93 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
3055	文件：98.53 Kbytes Page：4 Pages	CustomerSpecification Construction 1)Component11X1HOOKUP a)Conductor18(16/30)AWGTinnedCopper0.047 b)Insulation0.016Wall,Nom.PVC0.079+/-0.002 (1)Print ALPHAWIREE163869-RUAWMSTYLES1569105C OR100780C300VVW-1IEC60332-118AWG ORCRUTR-6490CFT1CEROHS {0}=FactoryCode	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
3055L	文件：141.04 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
3055L	文件：495.95 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES •60V,3.7A,RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=4.5V. •HighdensecelldesignforlowRDS(ON) •Ruggedandreliable. •SOT-89Package	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
AC3055	文件：118.49 Kbytes Page：2 Pages	10TO3000MHzTO-8CASCADABLEAMPLIFIER	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AC3055	文件：172.69 Kbytes Page：2 Pages	10TO3000MHzTO-8CASCADABLEAMPLIFIER	TELEDYNE TELEDYNE	TELEDYNE
ADM3055E	文件：505.62 Kbytes Page：24 Pages	5kVrms/3kVrms,SignalandPowerIsolated,CANTransceiversforCANFD GENERALDESCRIPTION TheADM3055E/ADM3057Eare5kVrmsand3kVrmsisolatedcontrollerareanetwork(CAN)physicallayertransceiverswithintegratedisolateddc-to-dcconverters.TheADM3055E/ADM3057Emeetflexibledatarate(CANFD)requirementsforoperationto5Mbpsandhigherandcomplyw	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADM3055E	文件：454.22 Kbytes Page：24 Pages	SignalandPowerIsolated,CANTransceiversforCANFD	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADM3055EBRIZ	文件：454.22 Kbytes Page：24 Pages	SignalandPowerIsolated,CANTransceiversforCANFD	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADM3055EBRIZ	文件：505.62 Kbytes Page：24 Pages	5kVrms/3kVrms,SignalandPowerIsolated,CANTransceiversforCANFD GENERALDESCRIPTION TheADM3055E/ADM3057Eare5kVrmsand3kVrmsisolatedcontrollerareanetwork(CAN)physicallayertransceiverswithintegratedisolateddc-to-dcconverters.TheADM3055E/ADM3057Emeetflexibledatarate(CANFD)requirementsforoperationto5Mbpsandhigherandcomplyw	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADM3055EBRIZ-RL	文件：505.62 Kbytes Page：24 Pages	5kVrms/3kVrms,SignalandPowerIsolated,CANTransceiversforCANFD GENERALDESCRIPTION TheADM3055E/ADM3057Eare5kVrmsand3kVrmsisolatedcontrollerareanetwork(CAN)physicallayertransceiverswithintegratedisolateddc-to-dcconverters.TheADM3055E/ADM3057Emeetflexibledatarate(CANFD)requirementsforoperationto5Mbpsandhigherandcomplyw	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

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详细参数

型号：
NDT3055
功能描述：
MOSFET SOT-223 N-CH ENHANCE
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市亿联芯电子科技有限公司	NDT3055	ON	22+	SMD	1980	新到现货绝对正品原装	询价
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详细参数

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