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NDS9933	文件：191.77 Kbytes Page：8 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription ThisP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorisproducedusingFairchild’sproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperformance.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS9933A	文件：191.77 Kbytes Page：8 Pages	Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription ThisP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorisproducedusingFairchild’sproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperformance.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDS9933A-NL	文件：1.0589 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NI9933	文件：451.73 Kbytes Page：5 Pages	CSeriesDigitalInputandCounter/TimerModules	NI National Instruments Inc.	NI
NI9933	文件：1.34575 Mbytes Page：5 Pages	CSeriesAnalogOutputModules	NI National Instruments Inc.	NI
NI9933	文件：1.51274 Mbytes Page：6 Pages	CSeriesAnalogInputModules	NI National Instruments Inc.	NI
NI9933	文件：1.68285 Mbytes Page：6 Pages	CSeriesDigitalOutputandRelayModules	NI National Instruments Inc.	NI
NI9933	文件：408.98 Kbytes Page：8 Pages	8Ch,짹20mA,200kS/s,16-BitCSeriesAnalogCurrentInputModule	NI National Instruments Inc.	NI
PE9933	文件：144.27 Kbytes Page：1 Pages	SingleWirePAtchCord	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
SI9933ADY	文件：39.51 Kbytes Page：3 Pages	DualP-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisaruggedgateversionofFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V–12V). Features ·–5A,–20V,RDS(ON)=75mW@VGS=–4.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
NDS9933
功能描述：
MOSFET Dual P-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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