N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description Power SOT N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance.

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FAIRCHILD

仙童半导体

N 沟道增强型场效应晶体管 60V，2.7A，0.2Ω

功率SOT N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 这些器件特别适合DC马达控制和DC/DC转换等低电压应用，此类应用需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力。 •2.7 A，60 V。 RDS(ON) = 0.2 Ω @ VGS = 10V\n•高密度设计可实现极低的RDS(ON)。\n•采用广泛使用的表面贴装封装，具有高功率和高电流处理能力。;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description These N-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology.This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performan

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FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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ONSEMI

安森美半导体

N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管，60V，2.8A，160mΩ

这些N沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度、DMOS技术生产。这种高密度工艺是专为最大限度地降低通态电阻并提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。这些器件特别适合DC电机控制和DC/DC转换等需要快速开关、低线内功率损耗和瞬态电阻的低压应用。 •2.8 A，60 V。 RDS(ON) = 0.2 Ω @ VGS = 4.5 V，RDS(ON) = 0.16 Ω @ VGS = 10 V。\n•高密度设计可实现极低的RDS(ON)。\n•采用广泛使用的表面贴装封装，具有高功率和高电流处理能力。;

ONSEMI

安森美半导体