NDT014L数据手册ONSEMI中文资料规格书
NDT014L规格书详情
描述 Description
这些N沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度、DMOS技术生产。这种高密度工艺是专为最大限度地降低通态电阻并提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。这些器件特别适合DC电机控制和DC/DC转换等需要快速开关、低线内功率损耗和瞬态电阻的低压应用。
特性 Features
•2.8 A，60 V。 RDS(ON) = 0.2 Ω @ VGS = 4.5 V，RDS(ON) = 0.16 Ω @ VGS = 10 V。
•高密度设计可实现极低的RDS(ON)。
•采用广泛使用的表面贴装封装，具有高功率和高电流处理能力。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：NDT014L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：2.8
- PD Max (W)
：115
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：200
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：160
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：3.6
- Ciss Typ (pF)
：155
- Package Type
：SOT-223-4/TO-261-4
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
2024+ |
SOT-223 |
22700 |
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询价 | ||
ONSEMI |
18+ROHS |
NA |
6000 |
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询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
SOT-223 |
360000 |
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FAIRCHILD |
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SOT223 |
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FSC |
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原厂原装 |
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询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
22+ |
SOT223 |
12800 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ONSEMI |
23+ |
MOSFET |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
17+ |
SOT223 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
25850 |
新到现货,只有原装 |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
SOT-223 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 |
