NDS9952A中文资料双 N 和 P 沟道增强型场效应晶体管，30V数据手册ONSEMI规格书
NDS9952A规格书详情
描述 Description
这些双N和P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件特别适合笔记本电脑功率管理和其他电池供电电路中的低电压应用，此类应用需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力。
特性 Features
•N-Channel 3.7A, 30V, RDS(ON)=0.08W @ VGS=10V, P-Channel -2.9A, -30V, RDS(ON)=0.13W @ VGS=-10V.
•通态电阻RDS(ON)极低的高密度单元设计。
•高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装。表面贴装封装中的双（N＆P沟道）MOSFET。
•Dual (N & P-Channel) MOSFET in surface mount package.
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：NDS9952A
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：Complementary
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：±30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：±2.8
- ID Max (A)
：N: 3.7
- PD Max (W)
：1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：N:110
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：N:80
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：10
- Ciss Typ (pF)
：N: 320
- Package Type
：SOIC-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
23+ |
SOP8 |
9526 |
询价 | |||
NS |
25+ |
SOP8 |
3000 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
SOP-8 |
8850 |
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询价 | ||
NS |
25+ |
SOT23-5 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
ON/安森美 |
19+ |
1000 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
SOP-8 |
505125 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
SO-8 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 |
