NDS9948数据手册ONSEMI中文资料规格书
NDS9948规格书详情
描述 Description
此P沟道MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 已针对要求大范围栅极驱动电压额定值(4.5V-20V)的功率管理应用进行了优化。
特性 Features
•-2.3A,-60V
•RDS(ON) = 250 mΩ @ VGS = -10V
•RDS(ON) = 500 mΩ @ VGS = -4.5V
•低栅极电荷(典型值9 nC)。
•快速开关速度
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
•高功率和高电流处理能力
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• Power Management
• Load Switch
• Battery Protection
技术参数
- 制造商编号
:NDS9948
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:P-Channel
- Configuration
:Dual
- V(BR)DSS Min (V)
:-60
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:-3
- ID Max (A)
:-2.3
- PD Max (W)
:60
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:Q1=Q2=500
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:Q1=Q2=250
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:9
- Ciss Typ (pF)
:394
- Package Type
:SOIC-8
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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