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NDBA100N10B	文件：344.83 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8.2mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：344.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NDBA100N10B	文件：580.66 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：580.66 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDBA100N10B	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Power MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDPL100N10B	文件：583.28 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：583.28 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDPL100N10B	文件：295.8 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8.7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：295.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NDPL100N10BG	文件：583.28 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：583.28 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

更多NDBA100N10B供应商更新时间2026-1-26 14:04:00