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NDD02N60Z-1

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

NDD02N60Z-1G

N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.0 

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NDD02N60Z-1G

N-Channel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NDD02N60Z-1G

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

详细参数

  • 型号:

    NDD02N60Z-1

  • 功能描述:

    MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多NDD02N60Z-1供应商 更新时间2025-7-26 14:02:00