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NDD02N60Z-1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

NDD02N60Z-1G
厂商型号

NDD02N60Z-1G

功能描述

N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.0 

文件大小

168.55 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-2 20:00:00

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产品属性

  • 型号:

    NDD02N60Z-1G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
22+
TO-251
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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进口原装正品假一赔十,货期7-10天
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