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NDB6060	文件：360.67 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, a 文件：360.67 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
NDB6060	文件：465.09 Kbytes Page：14 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, 文件：465.09 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDB6060	文件：345.02 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 48A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 25mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：345.02 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NDB6060	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDB6060L	文件：400.62 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 48A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 20mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：400.62 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NDB6060L	文件：360.51 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description These logic level N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching p 文件：360.51 Kbytes 页数：7 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
NDB6060L	文件：513.57 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：513.57 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDB6060L	文件：986 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：986 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

详细参数

型号：
NDB6060
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NDB6060供应商更新时间2026-9-29 10:32:00

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