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NCE6005AR	文件：678.79 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NCE6005AR；Package：SOT-223-3L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6005AR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS=60V,ID=5A RDS(ON) 文件：678.79 Kbytes 页数：8 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
LCE6005AR	文件：1.12868 Mbytes Page：6 Pages	丝印：NCE6005AR；Package：SOT-223-3L；LCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.12868 Mbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
LMTM5N06	文件：1.14303 Mbytes Page：6 Pages	丝印：NCE6005AR；Package：SOT-223-3L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.14303 Mbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
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NCE6005AR	文件：990.28 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：990.28 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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更多NCE6005AR供应商更新时间2026-1-18 14:14:00