NCE609芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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NCE609	文件：496.78 Kbytes Page：10 Pages	丝印：NCE609；Package：TO-252-4L；N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE609 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● N-Channel VDS =40V,ID =21A RDS(ON) 文件：496.78 Kbytes 页数：10 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE609	文件：496.78 Kbytes Page：10 Pages	丝印：NCE609；Package：TO-252-4L；N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE609 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● N-Channel VDS =40V,ID =21A RDS(ON) 文件：496.78 Kbytes 页数：10 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE6090	文件：422.71 Kbytes Page：7 Pages	NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：422.71 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
NCE6090	文件：994.86 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 文件：994.86 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NCE609供应商更新时间2025-9-15 17:44:00