NCE60P04R芯片丝印丝印对应型号-114ic电子网

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NCE60P04R	文件：673.71 Kbytes Page：8 Pages	丝印：NCE60P04R；Package：SOT-223-3L；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60P04R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications. General Features ● VDS =-60V,ID =-4.3A RDS(ON) 文件：673.71 Kbytes 页数：8 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
LCE60P04R	文件：987.53 Kbytes Page：6 Pages	丝印：NCE60P04R；Package：SOT-223-3L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：987.53 Kbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
LMTM4P06	文件：1.00162 Mbytes Page：6 Pages	丝印：NCE60P04R；Package：SOT-223-3L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.00162 Mbytes 页数：6 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
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更多NCE60P04R供应商更新时间2025-9-13 14:14:00