丝印：NCE60P04R；Package：SOT-223-3L；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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雷卯电子

MOSFET场效应管

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LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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LCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件：818.33 Kbytes 页数：6 Pages

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P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Isolated Package • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm • P-Channel • 175 °C Operating Temperature • Dynamic dV/dt Rating • Low Thermal Resistance • Lead (Pb)-free Available

文件：1.12446 Mbytes 页数：10 Pages

VBSEMI

微碧半导体