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NCE6080AI	文件：762.33 Kbytes Page：8 Pages	型号：NCE6080AI；Package：TO-251-3L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheNCE6080AIusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=80A RDS(ON)=5.5mΩ(typical)@VGS=10V RDS(ON)=6.5mΩ(typical)@VGS=4.5V ●Highdensityc	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司

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文件：762.33 Kbytes

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型号：NCE6080AI；Package：TO-251-3L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheNCE6080AIusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=80A RDS(ON)=5.5mΩ(typical)@VGS=10V RDS(ON)=6.5mΩ(typical)@VGS=4.5V ●Highdensityc

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

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