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NCE30H11BK | Marking：NCE30H11BK；Package：TO-252-2L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheNCE30H11BKusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications.GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=110A RDS(ON)=2.7mΩ(typical)@VGS=10V RDS(ON)=3.9mΩ(typical)@VGS=4.5V ●Highdensi | NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司 | NCEPOWER |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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