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NCE4555K	文件：627.86 Kbytes Page：7 Pages	Marking：NCE4555K；Package：TO-252-2L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheNCE4555Kusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=45V,ID=55A RDS(ON)=9.2mΩ@VGS=10V(Typ) RDS(ON)=13mΩ@VGS=4.5V(Typ) ●Highdensitycell	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER

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文件：627.86 Kbytes

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Marking：NCE4555K；Package：TO-252-2L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheNCE4555Kusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=45V,ID=55A RDS(ON)=9.2mΩ@VGS=10V(Typ) RDS(ON)=13mΩ@VGS=4.5V(Typ) ●Highdensitycell

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