NCE30P30K芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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NCE30P30K	文件：426.32 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE30P30K；Package：TO-252-2L；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P30K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features ● VDS =-30V,ID =-30A RDS(ON) 文件：426.32 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
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NCE30P30K	文件：1.02365 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.02365 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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更多NCE30P30K供应商更新时间2025-10-31 20:07:00