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NCE40H11 | Marking：NCE40H11；Package：TO-220-3L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheNCE40H11usesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=40V,ID=110A RDS(ON) | NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司 | NCEPOWER | |
Marking：NCE40H11K；Package：TO-252-2L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheNCE40H11Kusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=40V,ID=110A RDS(ON) | NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司 | NCEPOWER |
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