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NCE30NP1812K	文件：385.33 Kbytes Page：10 Pages	丝印：NCE30NP1812K；Package：TO-252-4L；N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30NP1812K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● N-Channel VDS =30V,ID =18A RDS(ON) 文件：385.33 Kbytes 页数：10 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
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更多NCE30NP1812K供应商更新时间2025-9-21 14:14:00