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NCE30NP1812K	文件：385.33 Kbytes Page：10 Pages	型号：NCE30NP1812K；Package：TO-252-4L；N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheNCE30NP1812Kusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.The complementaryMOSFETsmaybeusedtoformalevelshifted highsideswitch,andforahostofotherapplications. GeneralFeatures ●N-Channel VDS=30V,ID=18A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司

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NCE30NP1812K

文件：385.33 Kbytes

Page：10 Pages

型号：NCE30NP1812K；Package：TO-252-4L；N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheNCE30NP1812Kusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.The complementaryMOSFETsmaybeusedtoformalevelshifted highsideswitch,andforahostofotherapplications. GeneralFeatures ●N-Channel VDS=30V,ID=18A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

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