NCE30P10S芯片丝印丝印对应型号-114ic电子网

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NCE30P10S	文件：282.38 Kbytes Page：7 Pages	丝印：NCE30P10S；Package：SOP-8；NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P10S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features ● VDS = -30V,ID = -10A RDS(ON) 文件：282.38 Kbytes 页数：7 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
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更多NCE30P10S供应商更新时间2026-1-20 20:45:00