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NCE30H29D	文件：421.22 Kbytes Page：7 Pages	Marking：NCE30H29D；Package：TO-263-2L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheNCE30H29Dusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=290A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER

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NCE30H29D

文件：421.22 Kbytes

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Marking：NCE30H29D；Package：TO-263-2L；NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheNCE30H29Dusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=290A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

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