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NCE30ND35Q

Marking:NCE30ND35Q;Package:PDFN3.3X3.3-8L;NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description TheNCE30ND35Qusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures ●VDS=30V,ID=35A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

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