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GSMBT3904	文件：136.03 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
H3904	文件：71.12 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR APPLICATIONS SmallSignalAmplifier；HighFrequencyoscillator；SwitchingApplications. (complementToH3906)	HuashanHuashan Electronic Devices Co 华汕电子器件	Huashan
MMBT3904T	文件：221.95 Kbytes Page：3 Pages	150mWNPNGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MMBT3904T	文件：360.71 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeNPNSiliconTransistor GeneralPurposeNPNSiliconTransistor P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
MMBT3904T	文件：115.71 Kbytes Page：3 Pages	150mWNPNGeneralPurposeAmplifier Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •OperatingandStorageJunctionTemperatures:-55°Cto150°C •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensiti	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MMBT3904T	文件：179.44 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT3906T) •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3and4)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBT3904T	文件：249.96 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier150mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MMBT3904T	文件：135.53 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.15W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBT3904T	文件：663.57 Kbytes Page：4 Pages	NPNTransistor ■Features ●SmallPackage ●ComplementarytoMMBT3906T	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MMBT3904T	文件：134.45 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •Generalpurposeamplifiertransistor. •Ultra-SmallSurfaceMountPackageforalltypes. •Suitableforgeneralswitching&amplification •Wellsuitedforportableapplication •Ascomplementarytype,PNPMMBT3906Tisrecommended	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT3904T	文件：178.12 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>40V •IC=200mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryPNPType:MMBT3906T •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualifie	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBT3904T	文件：434.5 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBT3904T	文件：977.2 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistors ■Features ●SmallPackage ●ComplementarytoMMBT3906T	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MMBT3904T	文件：2.42176 Mbytes Page：4 Pages	SOT-523Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ComplementarytoMMBT3906T ●SmallPackage	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
MMBT3904T	文件：266.71 Kbytes Page：6 Pages	60VNPNSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBT3904T	文件：791.53 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistors FEATURES •SimplifiesCircuitDesign. •WeDeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
MMBT3904T	文件：165.42 Kbytes Page：4 Pages	NPNSWITCHINGTRANSISTOR FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable(MMBT3906T). ●CollectorCurrentCapabilityIc=200mA. ●Collector-emitterVoltageVCEO=40V. APPLICATIONS ●Generalswitchingandamplification.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT3904T	文件：843.75 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features Lowcurrent,Lowvoltage. Applications Generalpurposeamplifierandswitching.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMBT3904T	文件：828.61 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES ●ComplementarytoMMBT3906T ●SmallPackage	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMBT3904T	文件：451.55 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistorNPNSiliconSurfaceMountPlasticPackage SOT-523GeneralPurposeTransistor NPNSilicon SurfaceMountPlasticPackage SpecificationFeatures: ■SimplifiesCircuitDesign ■RoHSCompliant ■GreenEMC ■MatteTin(Sn)LeadFinish ■Weight:approx.0.002g	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

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产品属性

产品编号：
MMBT3904SL
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-923F
供应商器件封装：
SOT-923F
描述：
TRANS NPN 40V 0.2A SOT923F

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