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MMBT3904T	文件：178.12 Kbytes Page：3 Pages	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •BVCEO>40V •IC=200mACollectorCurrent •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryPNPType:MMBT3906T •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualifie	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBT3904T	文件：134.45 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor Features •Generalpurposeamplifiertransistor. •Ultra-SmallSurfaceMountPackageforalltypes. •Suitableforgeneralswitching&amplification •Wellsuitedforportableapplication •Ascomplementarytype,PNPMMBT3906Tisrecommended	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT3904T	文件：360.71 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose NPN SiliconTransistor GeneralPurposeNPNSiliconTransistor P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
MMBT3904T	文件：663.57 Kbytes Page：4 Pages	NPN Transistor ■Features ●SmallPackage ●ComplementarytoMMBT3906T	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
MMBT3904T	文件：135.53 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.15W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBT3904T	文件：843.75 Kbytes Page：7 Pages	Silicon NPN transistor in a SOT-89 Plastic Package Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features Lowcurrent,Lowvoltage. Applications Generalpurposeamplifierandswitching.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MMBT3904T	文件：165.42 Kbytes Page：4 Pages	NPN SWITCHING TRANSISTOR FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable(MMBT3906T). ●CollectorCurrentCapabilityIc=200mA. ●Collector-emitterVoltageVCEO=40V. APPLICATIONS ●Generalswitchingandamplification.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT3904T	文件：791.53 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon General Purpose Transistors FEATURES •SimplifiesCircuitDesign. •WeDeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
MMBT3904T	文件：2.42176 Mbytes Page：4 Pages	SOT-523 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ComplementarytoMMBT3906T ●SmallPackage	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
MMBT3904T	文件：977.2 Kbytes Page：3 Pages	NPN Transistors ■Features ●SmallPackage ●ComplementarytoMMBT3906T	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MMBT3904T	文件：828.61 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ●ComplementarytoMMBT3906T ●SmallPackage	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
MMBT3904T	文件：451.55 Kbytes Page：3 Pages	General Purpose Transistor NPN Silicon Surface Mount Plastic Package SOT-523GeneralPurposeTransistor NPNSilicon SurfaceMountPlasticPackage SpecificationFeatures: ■SimplifiesCircuitDesign ■RoHSCompliant ■GreenEMC ■MatteTin(Sn)LeadFinish ■Weight:approx.0.002g	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
MMBT3904T	文件：1.59453 Mbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ComplementarytoMMBT3906T SmallPackage	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd . 唯聖電子唯聖電子有限公司	GWSEMI
MMBT3904T	文件：115.71 Kbytes Page：3 Pages	150mW NPN General Purpose Amplifier Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •OperatingandStorageJunctionTemperatures:-55°Cto150°C •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensiti	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MMBT3904T	文件：179.44 Kbytes Page：4 Pages	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT3906T) •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3and4)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBT3904T	文件：249.96 Kbytes Page：3 Pages	NPN General Purpose Amplifier 150mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MMBT3904T	文件：266.71 Kbytes Page：6 Pages	60V NPN SMALL SIGNAL TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBT3904T	文件：221.95 Kbytes Page：3 Pages	150mW NPN General Purpose Amplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MMBT3904T	文件：434.5 Kbytes Page：4 Pages	NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
MMBT3904T	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：SC-89，SOT-490 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 0.2A SC89-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
MMBT3904T
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-89，SOT-490
供应商器件封装：
SC-89-3
描述：
TRANS NPN 40V 0.2A SC89-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MMBT3904T供应商更新时间2024-4-30 10:01:00

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